Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-7768
- Herst. Teile-Nr.:
- GT50JR22
- Marke:
- Toshiba
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
112,70 €
(ohne MwSt.)
134,125 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 75 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 + | 4,508 € | 112,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7768
- Herst. Teile-Nr.:
- GT50JR22
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±25V | |
| Verlustleistung max. | 230 W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.5 x 4.5 x 20mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±25V | ||
Verlustleistung max. 230 W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.5 x 4.5 x 20mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
- Ursprungsland:
- JP
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Toshiba IGBT / 50 A ±25V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 40 A ±25V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 40 A ±25V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 30 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 20 A ±25V max. 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
- Toshiba IGBT / 15 A ±25V max. 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
- Toshiba IGBT / 60 A ±25V max. 3-Pin TO-3PLH N-Kanal
- Bourns IGBT / 30 A ±20V max. , 600 V 230 W TO-247N