Toshiba Diskreter IGBT / 50 A, 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 168-7768
- Herst. Teile-Nr.:
- GT50JR22
- Marke:
- Toshiba
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
112,70 €
(ohne MwSt.)
134,125 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 25 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 75 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 + | 4,508 € | 112,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7768
- Herst. Teile-Nr.:
- GT50JR22
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | Diskreter IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | 6.5th generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ Diskreter IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie 6.5th generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Toshiba IGBT / 50 A ±25V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 40 A ±25V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 60 A ±25V max. 3-Pin TO-3PLH N-Kanal
- Toshiba IGBT / 40 A ±25V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 30 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 15 A ±25V max. 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
- Toshiba IGBT / 20 A ±25V max. 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. 3-Pin TO-3P N-Kanal