onsemi IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V, 3-Pin TO-3PN N-Kanal

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Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

presentation
STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
RS Best.-Nr.
791-7668

Stück (In einer VPE à 5)

2,78 €

(ohne MwSt.)

3,31 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
671-5391
Herst. Teile-Nr.:
FGA20N120FTDTU
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±25V

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.8 x 5 x 18.9mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Diskrete IGBTs, 1000 V und mehr, Fairchild Semiconductor



IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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