STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 375 W, 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
829-4666
Herst. Teile-Nr.:
STGWT60H65DFB
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gehäusegröße

TO-3P

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

HB

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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