Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 280 W

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RS Best.-Nr.:
244-5835
Herst. Teile-Nr.:
FP50R12KE3BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

280 W

Anzahl an Transistoren

7

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2,30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

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