Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W

RS Best.-Nr.:: 244-5835
Herst. Teile-Nr.:: FP50R12KE3BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W

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RS Best.-Nr.:: 244-5835
Herst. Teile-Nr.:: FP50R12KE3BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	75A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	280W
	Anzahl an Transistoren	7
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.15V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Serie	FP50R12KE3
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 280W
	Anzahl an Transistoren 7
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Serie FP50R12KE3
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FP50R12KE3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2,30 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W

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