Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

119,59 €

(ohne MwSt.)

142,31 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1119,59 €
2 - 4117,19 €
5 +105,48 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-5835
Herst. Teile-Nr.:
FP50R12KE3BOSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

280W

Anzahl an Transistoren

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

FP50R12KE3

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2,30 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Verwandte Links