Infineon IGBT-Modul / 100 A, 1200 V 355 W Modul Panel

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*

1.690,82 €

(ohne MwSt.)

2.012,08 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 10 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
10 - 90169,082 €1.690,82 €
100 +155,048 €1.550,48 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-7408
Herst. Teile-Nr.:
FS75R12KT3GBOSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

355W

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

62 mm

Länge

122mm

Höhe

20.5mm

Normen/Zulassungen

EN61140, IEC61140

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 75 A. Es verfügt über ein Modul mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3, emittergesteuerter Hochleistungsdiode und NTC erhältlich.

Thermischer Widerstand

Hohe Leistungsdichte

Kompaktes Modulkonzept

Verwandte Links