Infineon IGBT-Modul, 1200 V 355 W EconoPIM

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RS Best.-Nr.:
244-5840
Herst. Teile-Nr.:
FP75R12KT3BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

355W

Anzahl an Transistoren

7

Gehäusegröße

EconoPIM

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Serie

FP75R12KT3B

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

17mm

Breite

62 mm

Länge

122mm

Automobilstandard

Nein

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives medical application etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

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