Infineon IGBT-Modul, 1200 V 355 W EconoPIM

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RS Best.-Nr.:
244-5840
Herst. Teile-Nr.:
FP75R12KT3BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

355W

Gehäusegröße

EconoPIM

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

62 mm

Länge

122mm

Höhe

17mm

Serie

FP75R12KT3B

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives medical application etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

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