Infineon IGBT-Modul, 1200 V 105 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5384
- Herst. Teile-Nr.:
- FP10R12W1T4BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 105W | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 12mm | |
| Länge | 62.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 33.8mm | |
| Serie | FP10R12W1T4B | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 105W | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 12mm | ||
Länge 62.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 33.8mm | ||
Serie FP10R12W1T4B | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon FP10R12W1T4B Serie IGBT-Modul, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung, 105 W maximale Verlustleistung - FP10R12W1T4BOMA1
Dieses IGBT-Modul ist eine Hochspannungs-Halbleiterbaugruppe, die zum Schalten und Steuern der Stromversorgung in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er bietet einen robusten Betrieb über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Systeme, die eine erhebliche Spannungsblockierung und eine moderate Verlustleistung erfordern. Das Gerät ist für Anwendungen vorgesehen, die ein zuverlässiges Schalten bei hohen Temperaturen erfordern und gleichzeitig den RoHS-Materialbeschränkungen entsprechen.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Blockierfähigkeit ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• Die Verlustleistung von 105 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 7-Transistor-Konfiguration erhöht die Schaltdichte pro Gehäuse
• Die Gate-Emitter-Bewertung von 20 V unterstützt robuste Gate-Drive-Spannen
• Typische VCE(sat) 2,25 V reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• Funktioniert bis zu 150 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen
• Die Verlustleistung von 105 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 7-Transistor-Konfiguration erhöht die Schaltdichte pro Gehäuse
• Die Gate-Emitter-Bewertung von 20 V unterstützt robuste Gate-Drive-Spannen
• Typische VCE(sat) 2,25 V reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• Funktioniert bis zu 150 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Motorwechselrichterstufen
• Ideal für Wechselrichter für erneuerbare Energien mit mittlerer Leistung
• Wird mit Netzteilen verwendet, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Kann für Zughilfskonverter verwendet werden
• Geeignet für Induktionsheizungsstufen
• Ideal für Wechselrichter für erneuerbare Energien mit mittlerer Leistung
• Wird mit Netzteilen verwendet, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Kann für Zughilfskonverter verwendet werden
• Geeignet für Induktionsheizungsstufen
In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?
Es funktioniert bei einer Temperatur von mindestens -40 °C bis maximal 150 °C.
Was ist die maximale Kollektor-Emitter-Spannungsfähigkeit?
Das Gerät unterstützt bis zu 1200 V zwischen Kollektor und Emitter.
Wie viel Leistung kann das Modul unter Last ableiten?
Es kann maximal 105 W Leistung ableiten.
Welche Gate-Treiber-Spannungsbegrenzung muss eingehalten werden?
Die Gate-Emitter-Spannung darf 20 V nicht überschreiten.
Entspricht das Modul den gängigen Umweltstandards?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.