Infineon IGBT-Modul, 1200 V 175 W

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RS Best.-Nr.:
244-5389
Herst. Teile-Nr.:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

7

Maximale Verlustleistung Pd

175W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.25V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

FP25R12W2T4B11B

Höhe

12mm

Länge

51mm

Breite

42.5 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert für sich wiederholenden Peak Kollektor-Strom von 50 A und einen maximalen Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,25 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA

Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.

Gate-Emitter-Leckstrom 400 nA

Umgekehrte Übertragungskapazität 0,05 NF

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