Infineon IGBT-Modul, 1200 V 385 W

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RS Best.-Nr.:
244-5846
Herst. Teile-Nr.:
FP75R12KT4B11BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

385W

Anzahl an Transistoren

7

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

17mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

62 mm

Länge

122mm

Serie

FP75R12KT4B11B

Automobilstandard

Nein

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

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