Infineon IGBT-Modul, 1200 V 175 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5391
- Herst. Teile-Nr.:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 175W | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 12mm | |
| Breite | 42.5mm | |
| Serie | FP25R12W2T4B11B | |
| Länge | 51mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 175W | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 12mm | ||
Breite 42.5mm | ||
Serie FP25R12W2T4B11B | ||
Länge 51mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT-Modul der Serie FP25R12W2T4B11B von Infineon, 175 W maximale Verlustleistung, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - FP25R12W2T4B11BOMA1
Dieses IGBT-Modul ist ein Hochspannungs-Leistungsschaltgerät, das für anspruchsvolle industrielle Anwendungen entwickelt wurde. Er kombiniert mehrere Transistoren in einem einzigen Gehäuse, um hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und erhebliche Verlustleistung zu bewältigen und gleichzeitig über einen breiten Temperaturbereich zu arbeiten.
Merkmale und Vorteile:
• Bewältigt 1200 V Kollektor-Emitter-Spannung für Hochspannungssysteme
• Verwaltet eine maximale Verlustleistung von 175 W für anhaltende Lasten
• Funktioniert bis zu 150 °C für Hochtemperatur-Einsatzzyklen
• Sieben Transistoren in einem Modul zur Vereinfachung des Schaltungsdesigns
• Niedrige Sättigungsspannung von 2,25 V zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• Gate-Emitter-Nennspannung 20 V zur Anpassung an gängige Antriebsstufen
• Verwaltet eine maximale Verlustleistung von 175 W für anhaltende Lasten
• Funktioniert bis zu 150 °C für Hochtemperatur-Einsatzzyklen
• Sieben Transistoren in einem Modul zur Vereinfachung des Schaltungsdesigns
• Niedrige Sättigungsspannung von 2,25 V zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• Gate-Emitter-Nennspannung 20 V zur Anpassung an gängige Antriebsstufen
Anwendungsbereich
• Geeignet für industrielle Motorantriebe, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Ideal für Leistungswandler in erneuerbaren Energiesystemen
• Wird mit Wechselrichterstufen in großen HLK-Installationen verwendet
• Kann für Traktions-Hilfsstromversorgungssysteme verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperaturumgebungen in der Schwerindustrie
• Ideal für Leistungswandler in erneuerbaren Energiesystemen
• Wird mit Wechselrichterstufen in großen HLK-Installationen verwendet
• Kann für Traktions-Hilfsstromversorgungssysteme verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperaturumgebungen in der Schwerindustrie
Welchem Umgebungsbereich kann er standhalten?
Er ist spezifiziert für den Betrieb bei bis zu -40 °C und bis zu 150 °C.
Wie wirkt sich die Gate-Emitter-Grenze auf die Treiberauswahl aus?
Gate-Treiber dürfen die Gate-Emitter-Nennspannung von 20 V nicht überschreiten, um Überbelastungen zu vermeiden.
Welche elektrischen Eigenschaften reduzieren den Energieverlust während der Leitfähigkeit?
Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des Moduls von 2,25 V begrenzt die Leitungsverluste.
Wie viele Schaltelementen sind im Gehäuse integriert?
Das Modul enthält sieben diskrete Transistoren in einem einzigen Gehäuse.
Ist das Produkt für umweltbeschränkte Fertigung geeignet?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen und erfüllt daher bleifreie Prozessbeschränkungen.