- RS Best.-Nr.:
- 244-5369
- Herst. Teile-Nr.:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 20.05.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einem Tray von 24)
37,546 €
(ohne MwSt.)
44,68 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Tray* |
24 - 24 | 37,546 € | 901,104 € |
48 + | 35,669 € | 856,056 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 244-5369
- Herst. Teile-Nr.:
- F475R06W1E3BOMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, USV-Systeme, induktive Heizungs- und Schweißanwendungen sowie Solaranwendungen usw. geeignet
Elektrische Eigenschaften
Geringe Schaltverluste, geringe induktive Bauweise
Trench-IGBT 3
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Geringe VCEsat
Mechanische Eigenschaften
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Kompaktes Design
Lötkontakttechnologie
Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen
Geringe Schaltverluste, geringe induktive Bauweise
Trench-IGBT 3
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Geringe VCEsat
Mechanische Eigenschaften
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Kompaktes Design
Lötkontakttechnologie
Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | +/-20V |
Verlustleistung max. | 275 W |
Anzahl an Transistoren | 4 |
Konfiguration | Emitter-Collector, Quad (2 x Dual) |
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