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Infineon IGBT-Modul, 1200 V 515 W

Name: Infineon IGBT-Modul, 1200 V 515 W
Brand: Infineon
SKU: 244-5377
Price: 197.52 EUR
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	515W
	Anzahl an Transistoren	7
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.1V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	17mm
	Serie	FP100R12KT4B11
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	62 mm
	Länge	122mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 515W
	Anzahl an Transistoren 7
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 17mm
	Serie FP100R12KT4B11
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 62 mm
	Länge 122mm
	Automobilstandard Nein

Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Servoantriebe usw. geeignet

Elektrische Eigenschaften

Niedrige Schaltverluste

TVJ op = 150 °C

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient

Geringe VCEsat

Mechanische Eigenschaften

Hohe Leistung und thermische Schaltleistung

Interner NTC-Temperatursensor

Kupfergrundplatte

Presssitz-Kontakttechnologie

Standardgehäuse

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