Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 515 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5374
- Herst. Teile-Nr.:
- FP100R12KT4B11BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5374
- Herst. Teile-Nr.:
- FP100R12KT4B11BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Verlustleistung max. | 515 W | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Verlustleistung max. 515 W | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
- Ursprungsland:
- HU
Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Servoantriebe usw. geeignet
Elektrische Eigenschaften
Niedrige Schaltverluste
TVJ op = 150 °C
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Geringe VCEsat
Mechanische Eigenschaften
Hohe Leistung und thermische Schaltleistung
Interner NTC-Temperatursensor
Kupfergrundplatte
Presssitz-Kontakttechnologie
Standardgehäuse
Niedrige Schaltverluste
TVJ op = 150 °C
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Geringe VCEsat
Mechanische Eigenschaften
Hohe Leistung und thermische Schaltleistung
Interner NTC-Temperatursensor
Kupfergrundplatte
Presssitz-Kontakttechnologie
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