Infineon IGBT-Modul, 1200 V 385 W EconoPIM

RS Best.-Nr.:: 244-5851
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul, 1200 V 385 W EconoPIM

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RS Best.-Nr.:: 244-5851
Herst. Teile-Nr.:: FP75R12KT4BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	385W
	Anzahl an Transistoren	7
	Gehäusegröße	EconoPIM
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.15V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	62.5mm
	Serie	FP75R12KT4B
	Höhe	17mm
	Länge	122mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT-Modul
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 385W
	Anzahl an Transistoren 7
	Gehäusegröße EconoPIM
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 62.5mm
	Serie FP75R12KT4B
	Höhe 17mm
	Länge 122mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FP75R12KT4BOSA1

Infineon FP75R12KT4B Serie IGBT-Modul, 385 W maximale Verlustleistung, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - FP75R12KT4BOSA1

Dieses IGBT-Modul ist eine Leistungshalbleiterbaugruppe, die zum Schalten und Steuern von Hochspannungs-Gleichstrom in industriellen Wandlern und Motorantrieben entwickelt wurde. Er wird in einem kompakten EconoPIM-Gehäuse geliefert, das für die Integration in Leistungselektroniksysteme vorgesehen ist, und arbeitet über einen breiten thermischen Bereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• 1200 V Blockierfähigkeit für Hochspannungsschaltanwendungen
• Verlustleistung von 385 W zur Bewältigung erheblicher Verlustleistung
• 2,15 V VCE(sat) reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• 20 V Gate-Emitter-Toleranz für robuste Gate-Drive-Margen
• Sieben-Transistor-Konfiguration ermöglicht Multi-Switch-Topologien
• RoHS-konforme Konstruktion für geregelte Materialanforderungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für industrielle Hochspannungsmotorantriebe
• Einsatz mit dreiphasigen Frequenzumrichtern in Fabriken
• Ideal für Hochleistungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Kann für mittelspannungsfähige Antriebselektroden verwendet werden
• Wird für Stromversorgungen verwendet, die mehrere Schaltelemente erfordern

Welchen extremen Temperaturen kann das Gerät während des Betriebs standhalten?

Er ist für den Betrieb von -40 °C bis zu einer maximalen Betriebstemperatur von 150 °C ausgelegt.

Wie viele Schaltelementen sind in das Gehäuse integriert?

Das Modul enthält sieben Transistoren für mehrpolige oder parallele Schaltanordnungen.

Was sind die physischen Ummantelungsmessungen für die Montage?

Das Gehäuse misst 122 mm in der Länge, 62,5 mm in der Breite und 17 mm in der Höhe.

Erfüllt das Modul die Anforderungen an Materialbeschränkungen für die Fertigung?

Er entspricht den RoHS-Normen, die bestimmte gefährliche Stoffe einschränken.