Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 1200 V 355 W Modul
- RS Best.-Nr.:
- 273-7409
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Marke:
- Infineon
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- 273-7409
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 75 A. Es verfügt über ein Modul mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3, emittergesteuerter Hochleistungsdiode und NTC erhältlich.
Thermischer Widerstand
Hohe Leistungsdichte
Kompaktes Modulkonzept
Hohe Leistungsdichte
Kompaktes Modulkonzept
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V |
| Verlustleistung max. | 355 W |
| Gehäusegröße | Modul |
| Montage-Typ | Tafelmontage |
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