Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 1200 V 355 W Modul

RS Best.-Nr.:: 273-7409
Herst. Teile-Nr.:: FS75R12KT3GBOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 1200 V 355 W Modul

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RS Best.-Nr.:: 273-7409
Herst. Teile-Nr.:: FS75R12KT3GBOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	100 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	+/-20V
	Verlustleistung max.	355 W
	Gehäusegröße	Modul
	Montage-Typ	Tafelmontage

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 100 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. +/-20V
	Verlustleistung max. 355 W
	Gehäusegröße Modul
	Montage-Typ Tafelmontage

Datasheet - FS75R12KT3GBOSA1

Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 75 A. Es verfügt über ein Modul mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3, emittergesteuerter Hochleistungsdiode und NTC erhältlich.

Thermischer Widerstand
Hohe Leistungsdichte
Kompaktes Modulkonzept

Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 1200 V 355 W Modul

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