Infineon IGBT-Modul / 28 A +/-20V max., 1200 V 130 W Modul
- RS Best.-Nr.:
- 273-7398
- Herst. Teile-Nr.:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 15 A. Das Produkt ist eine hervorragende Lösung für frequenzgesteuerte Umrichterantriebe. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT4, emittergesteuerter 4-Dioden-, NTC- und Press FIT-Kontakttechnologie erhältlich.
Wärmewiderstand
Hohe Leistungsdichte
Kompaktes Modulkonzept
Modulaufbau mit geringer Streuinduktivität
Hohe Leistungsdichte
Kompaktes Modulkonzept
Modulaufbau mit geringer Streuinduktivität
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 28 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V |
| Verlustleistung max. | 130 W |
| Gehäusegröße | Modul |
| Montage-Typ | Tafelmontage |
- RS Best.-Nr.:
- 273-7398
- Herst. Teile-Nr.:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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