Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7402
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12KT3BOSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*
825,07 €
(ohne MwSt.)
981,83 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 82,507 € | 825,07 € |
| 100 + | 75,659 € | 756,59 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7402
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12KT3BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 280W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | EN61140, IEC61140 | |
| Länge | 122mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 280W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen EN61140, IEC61140 | ||
Länge 122mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 50 A. Es verfügt über eine Grundplatte aus Kupfer für eine optimierte Wärmeverteilung und eine Modulkonstruktion mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3 und NTC erhältlich.
Thermischer Widerstand
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Leistungsdichte
Geringe Schaltverluste
Kompaktes Modulkonzept
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W Modul Panel
- Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W
- Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent 28-Pin Modul Typ N-Kanal Panel
- Infineon IGBT-Modul / 75 A 8-Pin Modul Panel
- Infineon IGBT-Modul / 280 A, 1200 V 1000 W EconoPACK
- Infineon IGBT-Modul / 100 A, 1200 V 355 W Modul Panel
- Infineon IGBT-Modul / 200 A, 1200 V 680 W Modul Panel
- Infineon IGBT-Modul / 28 A, 1200 V 130 W Modul Panel
