Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 75 A +/-20V max., 1200 V 280 W Modul

RS Best.-Nr.:: 273-7403
Herst. Teile-Nr.:: FP50R12KT3BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 75 A +/-20V max., 1200 V 280 W Modul

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RS Best.-Nr.:: 273-7403
Herst. Teile-Nr.:: FP50R12KT3BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	75 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	+/-20V
	Verlustleistung max.	280 W
	Gehäusegröße	Modul
	Montage-Typ	Tafelmontage

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 75 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. +/-20V
	Verlustleistung max. 280 W
	Gehäusegröße Modul
	Montage-Typ Tafelmontage

Datasheet - FP50R12KT3BOSA1

Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 50 A. Es verfügt über eine Grundplatte aus Kupfer für eine optimierte Wärmeverteilung und eine Modulkonstruktion mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3 und NTC erhältlich.

Thermischer Widerstand
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Leistungsdichte
Geringe Schaltverluste
Kompaktes Modulkonzept

Infineon IGBT-Modul / 75 A +/-20V max., 1200 V 280 W Modul

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