Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. , 1200 V 790 W

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-5819
Herst. Teile-Nr.:
FD150R12RT4HOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

150 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

790 W

The infineon IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode are the right choice for your design it is suitable for typical applications like high frequency switching applications motor drives, UPS systems.

Electrical features
Extended operation temperature Tvj op
Low switching losses
Low VCEsat
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
Isolated base plate
Standard housing

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