Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. , 1200 V 790 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5819
- Herst. Teile-Nr.:
- FD150R12RT4HOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5819
- Herst. Teile-Nr.:
- FD150R12RT4HOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 790 W | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 150 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 790 W | ||
The infineon IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode are the right choice for your design it is suitable for typical applications like high frequency switching applications motor drives, UPS systems.
Electrical features
Extended operation temperature Tvj op
Low switching losses
Low VCEsat
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
Isolated base plate
Standard housing
Extended operation temperature Tvj op
Low switching losses
Low VCEsat
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
Isolated base plate
Standard housing
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