Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. , 1200 V 790 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5819
- Herst. Teile-Nr.:
- FD150R12RT4HOSA1
- Marke:
- Infineon
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- FD150R12RT4HOSA1
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- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
The infineon IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode are the right choice for your design it is suitable for typical applications like high frequency switching applications motor drives, UPS systems.
Electrical features
Extended operation temperature Tvj op
Low switching losses
Low VCEsat
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
Isolated base plate
Standard housing
Extended operation temperature Tvj op
Low switching losses
Low VCEsat
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
Isolated base plate
Standard housing
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 790 W |
| Anzahl an Transistoren | 1 |
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