Infineon IGBT / 150 A Dreiphasenbrücke, 1200 V 20 mW Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-5336
- Herst. Teile-Nr.:
- FP150R12KT4BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- FP150R12KT4BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 150A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 62.5 mm | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Länge | 122mm | |
| Normen/Zulassungen | EN61140, IEC61140 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 150A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Konfiguration Dreiphasenbrücke | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 62.5 mm | ||
Höhe 20.5mm | ||
Länge 122mm | ||
Normen/Zulassungen EN61140, IEC61140 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Modul von Infineon ist mit schnellem TRENCHSTOP TM IGBT4 und emittergesteuerter 4-Diode und NTC erhältlich. Er verfügt über einen VCEsat mit einem positiven Temperaturkoeffizienten. Dieses IGBT-Modul eignet sich für Servoantriebe, Motorantriebe und Hilfswechselrichteranwendungen.
Niedriger VCEsat
Standardgehäuse
Hohe Leistungsdichte
Kupfer-Sockelplatte
Lötkontakttechnologie
Integrierter NTC-Temperatursensor
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