Infineon IGBT-Modul / 75 A Dreiphasenbrücke, 1200 V, 28-Pin ECONO2 Typ N-Kanal Leiterplattenmontage

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RS Best.-Nr.:
124-8785
Herst. Teile-Nr.:
FS75R12KT4B15BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Gehäusegröße

ECONO2

Konfiguration

Dreiphasenbrücke

Montageart

Leiterplattenmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

28

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

17mm

Breite

45 mm

Länge

107.5mm

Ursprungsland:
CN

IGBT-Module, Infineon


Infineon

TM

TMTMTM

IGBT Discrete & Module, Infineon


Der Isolated Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Drei-Klemmen-Leistungs-Halbleitergerät, das für hohe Effizienz und schnelles Schalten bekannt ist. Der IGBT kombiniert die einfachen Gate-Drive-Eigenschaften der MOSFETs mit der Hochstrom- und Niederspannungsfähigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines isolierten Gate-FETs für den Steuereingang und eines bipolaren Leistungstransistors als Schalter in einem einzigen Gerät.

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