Infineon IGBT-Modul / 75 A Dreiphasenbrücke, 1.2 kV, 28-Pin ECONO2 N-Kanal Leiterplattenmontage
- RS Best.-Nr.:
- 838-6860
- Herst. Teile-Nr.:
- FS75R12KT4B15BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 838-6860
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- FS75R12KT4B15BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) | 75 A | |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) | 1.2 kV | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Gehäusegröße | ECONO2 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Höhe | 17 mm | |
| Länge | 107.5 mm | |
| Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Breite | 45 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic) 75 A | ||
Konfiguration Dreiphasenbrücke | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo) 1.2 kV | ||
Pinanzahl 28 | ||
Gehäusegröße ECONO2 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Höhe 17 mm | ||
Länge 107.5 mm | ||
Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Breite 45 mm | ||
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBT’s can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
Package styles include: 62mm Modules, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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