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Diskrete Bauteile

Kategorie

Diskrete Bauteile
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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,504 €
    Stück (In einer Stange von 50)
MMF60R750PTH N-Kanal MOSFET, 600 V / 5,7 A, 27,1 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • Drain-Source-Widerstand max.750 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,504 €
    Stück (In einer Stange von 10)
MMF60R750PTH N-Kanal MOSFET, 600 V / 5,7 A, 27,1 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • Drain-Source-Widerstand max.750 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,496 €
    Stück (In einer Stange von 10)
MDF11N60BTH N-Kanal MOSFET, 660 V / 11 A, 49 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11 A
  • Drain-Source-Spannung max.660 V
  • Drain-Source-Widerstand max.550 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,492 €
    Stück (In einer Stange von 50)
MDF11N60BTH N-Kanal MOSFET, 660 V / 11 A, 49 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11 A
  • Drain-Source-Spannung max.660 V
  • Drain-Source-Widerstand max.550 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,871 €
    Stück (In einer Stange von 10)
MDF13N50BTH N-Kanal MOSFET, 500 V / 13 A, 41 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.13 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • Drain-Source-Widerstand max.500 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,792 €
    Stück (In einer Stange von 50)
MDF13N50BTH N-Kanal MOSFET, 500 V / 13 A, 41 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.13 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • Drain-Source-Widerstand max.500 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 40,75 €Stück
MPKC2CA200U60 Diode, 600V / 400A 110ns, 5DM-2 3-Pin
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
  • Dauer-Durchlassstrom max.400A
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • Montage-TypFrontplattenmontage
Vergleichbare Produkte in "Gleichrichterdioden und Schottky Dioden"
  • 0,688 €
    Stück (In einer Stange von 10)
MDF9N50BTH N-Kanal MOSFET, 500 V / 9 A, 38 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • Drain-Source-Widerstand max.850 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,708 €
    Stück (In einer Stange von 50)
MMF60R360PTH N-Kanal MOSFET, 600 V / 11 A, 31 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • Drain-Source-Widerstand max.360 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,625 €
    Stück (In einer Stange von 50)
MDF9N50BTH N-Kanal MOSFET, 500 V / 9 A, 38 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • Drain-Source-Widerstand max.850 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,88 €
    Stück (In einer Stange von 5)
MMF60R360PTH N-Kanal MOSFET, 600 V / 11 A, 31 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • Drain-Source-Widerstand max.360 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,271 €
    Stück (In einer Stange von 50)
MDF5N50BTH N-Kanal MOSFET, 500 V / 5 A, 27 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,212 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
MDC0531EURH N-Kanal, Dual MOSFET, 30 V / 8 A, 1,7 W, TSSOP 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • Drain-Source-Widerstand max.23 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.1.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,233 €
    Stück (Auf einer Rolle von 25)
MDC0531EURH N-Kanal, Dual MOSFET, 30 V / 8 A, 1,7 W, TSSOP 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • Drain-Source-Widerstand max.23 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.1.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,193 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
MDD3N50GRH N-Kanal MOSFET, 500 V / 2,8 A, 45 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • Drain-Source-Widerstand max.2,5 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,417 €
    Stück (In einer Stange von 50)
MDF2N60TH N-Kanal MOSFET, 600 V / 2 A, 22,7 W, TO-220F 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • Drain-Source-Widerstand max.4,5 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,512 €
    Stück (In einer Stange von 5)
MDP18N50BTH N-Kanal MOSFET, 500 V / 18 A, 236 W, TO-220 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.18 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • Drain-Source-Widerstand max.270 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,44 €
    Stück (In einer Stange von 50)
MDD5N40RH N-Kanal MOSFET, 400 V / 3,4 A, 45 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,4 A
  • Drain-Source-Spannung max.400 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,6 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,484 €
    Stück (In einer Stange von 10)
MDP11N60TH N-Kanal MOSFET, 660 V / 11 A, 182 W, TO-220 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11 A
  • Drain-Source-Spannung max.660 V
  • Drain-Source-Widerstand max.550 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,221 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
MDD5N50RH N-Kanal MOSFET, 500 V / 4,4 A, 70 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,4 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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