Wolfspeed

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 4,74 €
    Stück (In einer Stange von 30)
C2M0280120D N-Kanal MOSFET, 1200 V / 10 A, 62,5 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.370 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,215 €
    Stück (In einer VPE à 2)
C2M0280120D N-Kanal MOSFET, 1200 V / 10 A, 62,5 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.370 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,04 €Stück
C2M1000170D N-Kanal MOSFET, 1700 V / 5 A, 69 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.1700 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.3.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,58 €
    Stück (In einer Stange von 30)
C2M1000170D N-Kanal MOSFET, 1700 V / 5 A, 69 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.1700 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.3.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 67,06 €Stück
C2M0025120D N-Kanal MOSFET, 1200 V / 90 A, 463 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.34 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 60,96 €
    Stück (In einer Stange von 30)
C2M0025120D N-Kanal MOSFET, 1200 V / 90 A, 463 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.34 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 538,888 €
    Stück (In einer Box à 10)
CAS300M12BM2 N-Kanal, Dual MOSFET, 1200 V / –40 A, 1,66 kW, Halbbrücke 7-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.–40 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.9,8 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.3V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 9,00 €
    Stück (In einer Stange von 50)
C3M0065090J N-Kanal MOSFET, 900 V / 35 A, 113 W, D2PAK (TO-263) 7-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.35 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Drain-Source-Widerstand max.78 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 583,03 €Stück
CAS300M12BM2 N-Kanal, Dual MOSFET, 1200 V / –40 A, 1,66 kW, Halbbrücke 7-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.–40 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.9,8 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.3V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 9,90 €Stück
C3M0065090J N-Kanal MOSFET, 900 V / 35 A, 113 W, D2PAK (TO-263) 7-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.35 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Drain-Source-Widerstand max.78 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 250,51 €Stück
Wolfspeed, Power Management Development Kit, SiC MOSFET, Evaluierungskit, für TO-247 MOSFETs und Schottky-Dioden
  • Funktion für StromüberwachungseinheitenSiC MOSFET
  • Kit-KlassifizierungEvaluierungskit
  • Zum Einsatz mitTO-247 MOSFETs und Schottky-Dioden
Vergleichbare Produkte in "Entwicklungskits Power Management"
  • 377,65 €Stück
CCS050M12CM2 N-Kanal, Hex MOSFET, 1200 V / 87 A, 312 W, Six Pack 28-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.87 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.63 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.3V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 8,00 €Stück
C2M0160120D N-Kanal MOSFET, 1200 V / 19 A, 125 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.19 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.196 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 7,27 €
    Stück (In einer Stange von 30)
C2M0160120D N-Kanal MOSFET, 1200 V / 19 A, 125 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.19 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.196 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,21 €
    Stück (In einer Stange von 50)
C3D10060A Schottky Diode, 600V / 10A, TO-220 2-Pin
  • Dauer-Durchlassstrom max.10A
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Gleichrichterdioden und Schottky Dioden"
  • 5,37 €
    Stück (In einer VPE à 2)
C2M1000170J N-Kanal MOSFET, 1700 V / 5,3 A, 78 W, D2PAK (TO-263) 7-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.1700 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,63 €Stück
C3D10060A Schottky Diode, 600V / 10A, TO-220 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Dauer-Durchlassstrom max.10A
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Gleichrichterdioden und Schottky Dioden"
  • 4,88 €
    Stück (In einer Stange von 50)
C2M1000170J N-Kanal MOSFET, 1700 V / 5,3 A, 78 W, D2PAK (TO-263) 7-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.1700 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,335 €
    Stück (In einer VPE à 2)
C3M0280090D N-Kanal MOSFET, 900 V / 11,5 A, 54 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Drain-Source-Widerstand max.360 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.3.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,03 €
    Stück (In einer Stange von 30)
C3M0280090D N-Kanal MOSFET, 900 V / 11,5 A, 54 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Drain-Source-Widerstand max.360 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.3.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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