Wolfspeed

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 5,215 €
    Stück (In einer VPE à 2)
N-Kanal MOSFET C2M0280120D, 1200 V, 10 A, 370 mΩ, TO-247 3-Pin, 62,5 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.370 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,74 €
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal MOSFET C2M0280120D, 1200 V, 10 A, 370 mΩ, TO-247 3-Pin, 62,5 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.370 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,04 €Stück
N-Kanal MOSFET C2M1000170D, 1700 V, 5 A, 1,4 Ω, TO-247 3-Pin, 69 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.1700 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.3.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,58 €
    Stück (In einer Stange von 30)
N-channel SiC MOSFET 1.7kV 5A TO247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.1700 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.3.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 60,96 €
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal MOSFET C2M0025120D, 1200 V, 90 A, 34 mΩ, TO-247 3-Pin, 463 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.34 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 67,06 €Stück
N-Kanal MOSFET C2M0025120D, 1200 V, 90 A, 34 mΩ, TO-247 3-Pin, 463 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.34 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 9,00 €
    Stück (In einer Stange von 50)
N-Kanal MOSFET C3M0065090J, 900 V, 35 A, 78 mΩ, D2PAK (TO-263) 7-Pin, 113 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.35 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Drain-Source-Widerstand max.78 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 583,03 €Stück
N-Kanal MOSFET CAS300M12BM2 Dual, 1200 V, –40 A, 9,8 mΩ 7-Pin, 1,66 kW SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.–40 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.9,8 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.3V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 530,025 €
    Stück (In einer Box à 10)
N-Kanal MOSFET CAS300M12BM2 Dual, 1200 V, –40 A, 9,8 mΩ 7-Pin, 1,66 kW SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.–40 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.9,8 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.3V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 9,90 €Stück
N-Kanal MOSFET C3M0065090J, 900 V, 35 A, 78 mΩ, D2PAK (TO-263) 7-Pin, 113 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.35 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Drain-Source-Widerstand max.78 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.1V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 248,19 €Stück
Wolfspeed, Power Management Development Kit, SiC MOSFET, Evaluierungskit, für TO-247 MOSFETs und Schottky-Dioden
  • Funktion für StromüberwachungseinheitenSiC MOSFET
  • Kit-KlassifizierungEvaluierungskit
  • Zum Einsatz mitTO-247 MOSFETs und Schottky-Dioden
Vergleichbare Produkte in "Entwicklungskits Power Management"
  • 397,35 €Stück
N-Kanal MOSFET CCS050M12CM2 Hex, 1200 V, 87 A, 63 mΩ 28-Pin, 312 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.87 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.63 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.3V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 7,27 €
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal MOSFET C2M0160120D, 1200 V, 19 A, 196 mΩ, TO-247 3-Pin, 125 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.19 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.196 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 8,00 €Stück
N-Kanal MOSFET C2M0160120D, 1200 V, 19 A, 196 mΩ, TO-247 3-Pin, 125 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.19 A
  • Drain-Source-Spannung max.1200 V
  • Drain-Source-Widerstand max.196 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,21 €
    Stück (In einer Stange von 50)
C3D10060A Schottky Diode, 600V / 10A, TO-220 2-Pin
  • Dauer-Durchlassstrom max.10A
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Gleichrichterdioden und Schottky Dioden"
  • 4,88 €
    Stück (In einer Stange von 50)
N-Kanal MOSFET C2M1000170J, 1700 V, 5,3 A, 1,4 Ω, D2PAK (TO-263) 7-Pin, 78 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.1700 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,63 €Stück
C3D10060A Schottky Diode, 600V / 10A, TO-220 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Dauer-Durchlassstrom max.10A
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Gleichrichterdioden und Schottky Dioden"
  • 5,37 €
    Stück (In einer VPE à 2)
N-Kanal MOSFET C2M1000170J, 1700 V, 5,3 A, 1,4 Ω, D2PAK (TO-263) 7-Pin, 78 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.1700 V
  • Drain-Source-Widerstand max.1,4 Ω
  • Gate-Schwellenspannung max.4V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,03 €
    Stück (In einer Stange von 30)
N-Kanal MOSFET C3M0280090D, 900 V, 11,5 A, 360 mΩ, TO-247 3-Pin, 54 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Drain-Source-Widerstand max.360 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.3.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,335 €
    Stück (In einer VPE à 2)
N-Kanal MOSFET C3M0280090D, 900 V, 11,5 A, 360 mΩ, TO-247 3-Pin, 54 W SiC
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Drain-Source-Widerstand max.360 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.3.5V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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