IGBTs, oder auch als IGBT-Transistoren (bipolare Transistoren mit isoliertem Gate) bekannt, sind Halbleiter, die hauptsächlich als Schalteinheiten verwendet werden, um den Stromfluss zu ermöglichen oder zu stoppen. Sie haben viele Vorteile, unter anderem hohe Spannungskapazität, einfache Ansteuerung, niedriger Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit. Sie bilden eine Mischung zwischen zwei der gängigsten Transistoren, Bipolartransistoren und MOSFET.
IGBT-Transistoren sind Drei-End-Einheiten, die eine Spannung an einen Halbleiter anlegen und seine Eigenschaften ändern, um den Leistungsfluss im ausgeschalteten Zustand zu blockieren und den Leistungsfluss im eingeschalteten Zustand zu ermöglichen. Sie werden durch eine Metalloxid-Halbleiter-Gate-Struktur gesteuert. IGBT-Transistoren werden häufig zum Schalten von elektrischer Energie in Anwendungen wie Schweißen, Elektroautos, Klimaanlagen, Züge und unterbrechungsfreie Stromversorgungen eingesetzt.
Es gibt verschiedene Arten von IGBT-Transistoren, die nach Parametern wie maximale Spannung, Kollektorstrom, Gehäuseart und Schaltgeschwindigkeit kategorisiert sind. Der Typ des ausgewählten IGBT-Transistors ist abhängig von der genauen Leistungsstufe und den zu berücksichtigenden Anwendungen.
Ein IGBT hat einen deutlich niedrigeren Durchlassspannungsabfall im Vergleich mit einem konventionellen MOSFET in Einheiten mit höherer Sperrspannung. MOSFETs zeichnen sich jedoch durch eine geringere Durchlassspannung bei niedrigeren Stromdichten aus, da die Diode VF (Forward Voltage) im Ausgang BJT des IGBT fehlt.
Ein IGBT-Modul (isolierter Bipolartransistor mit isoliertem Gate) besteht aus einem oder mehreren IGBTs und wird aufgrund seiner Zuverlässigkeit in vielen Industrieanlagen eingesetzt. IGBT-Transistoren sind eine Mischung zwischen Bipolartransistoren (BJTs) und MOSFET. Sie sind höchst effizient und schnell und verfügen über eine hohe Strom- und niedrige Sättigungsspannung.