- RS Best.-Nr.:
- 184-1255
- Herst. Teile-Nr.:
- MMUN2235LT1G
- Marke:
- onsemi
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- MMUN2235LT1G
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Diese Serie von digitalen Transistoren wurde als Ersatz für ein einzelnes Gerät und sein externes Widerstandsvorspannungsnetzwerk entwickelt. Der Bias-Widerstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen, einem Reihenbasiswiderstand und einem Basis-Emitter-Widerstand besteht. Die BRT beseitigt diese einzelnen Komponenten durch die Integration in ein einziges Gerät. Durch den Einsatz eines BRT können sowohl die Systemkosten als auch der Platinenplatz reduziert werden.
Vereinfacht das Schaltungsdesign
Reduziert Platinenplatz
Verringert die Anzahl der Komponenten
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Reduziert Platinenplatz
Verringert die Anzahl der Komponenten
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
DC Kollektorstrom max. | 100 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 400 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 50 V |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Abmessungen | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |