- RS Best.-Nr.:
- 186-8537
- Herst. Teile-Nr.:
- BC849CLT1G
- Marke:
- onsemi
900 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 100)
0,03 €
(ohne MwSt.)
0,04 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
100 - 900 | 0,03 € | 3,00 € |
1000 - 2900 | 0,022 € | 2,20 € |
3000 + | 0,015 € | 1,50 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 186-8537
- Herst. Teile-Nr.:
- BC849CLT1G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Bipolartransistor NPN ist für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen konzipiert. Das Gerät befindet sich im Gehäuse SOT-23, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.
Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1
ESD-Schutzklasse - Mensch-Körper-Modell:> 4000 V.
ESD-Schutzart - Maschinenmodell:> 400 V
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
S Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Anwendungen
ESD-Schutz
Polaritätsumkehrschutz
Schutz der Datenleitung
Induktiver Lastschutz
Logik der Lenkung
ESD-Schutzklasse - Mensch-Körper-Modell:> 4000 V.
ESD-Schutzart - Maschinenmodell:> 400 V
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
S Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Anwendungen
ESD-Schutz
Polaritätsumkehrschutz
Schutz der Datenleitung
Induktiver Lastschutz
Logik der Lenkung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
DC Kollektorstrom max. | 100 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 300 mW |
Gleichstromverstärkung min. | 420 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Abmessungen | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |