onsemi 2N5191G THT, NPN Transistor 60 V dc / 4 A 1 MHz, TO-225 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 184-4149
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N5191G
- Marke:
- onsemi
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- 184-4149
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N5191G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Typ | NPN | |
| DC Kollektorstrom max. | 4 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V dc | |
| Gehäusegröße | TO-225 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Verlustleistung max. | 40 W | |
| Gleichstromverstärkung min. | 25 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 60 V dc | |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc | |
| Arbeitsfrequenz max. | 1 MHz | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Abmessungen | 7.8 x 3 x 11.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Typ NPN | ||
DC Kollektorstrom max. 4 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 60 V dc | ||
Gehäusegröße TO-225 | ||
Montage-Typ THT | ||
Verlustleistung max. 40 W | ||
Gleichstromverstärkung min. 25 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis-Spannung max. 60 V dc | ||
Basis-Emitter Spannung max. 5 V dc | ||
Arbeitsfrequenz max. 1 MHz | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Abmessungen 7.8 x 3 x 11.1mm | ||
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