onsemi MJE200G THT, NPN Transistor 40 V / 10 A 10 MHz, TO-225 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 184-4894
- Herst. Teile-Nr.:
- MJE200G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,666 € | 16,65 € |
| 100 - 475 | 0,495 € | 12,375 € |
| 500 - 975 | 0,384 € | 9,60 € |
| 1000 - 2475 | 0,314 € | 7,85 € |
| 2500 + | 0,301 € | 7,525 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 184-4894
- Herst. Teile-Nr.:
- MJE200G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für Anwendungen mit Niederspannungs-, Niederleistungs- und Hochgain-Audioverstärkern konzipiert. Die Modelle MjE200 (NPN) und MjE210 (PNP) sind komplementäre Geräte.
Hohe DC-Stromverstärkung
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hoher Stromgewinn - Bandwidth Product
Ringkonstruktion für geringe Leckage
Diese Geräte sind pbfrei
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hoher Stromgewinn - Bandwidth Product
Ringkonstruktion für geringe Leckage
Diese Geräte sind pbfrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 10 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 40 V |
| Gehäusegröße | TO-225 |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 15 W |
| Gleichstromverstärkung min. | 45 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 25 V dc |
| Basis-Emitter Spannung max. | 8 V dc |
| Arbeitsfrequenz max. | 10 MHz |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 7.8 x 3 x 11.1mm |
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