onsemi FDMB3800N SMD Digitaler Transistor Dual, WDFN 8-Pin

Diese N-Kanal Logic Level MOSFETs werden mit einem Advanced Power Trench Prozess hergestellt, der speziell auf die Minimierung des Einschaltresistenz und die Aufrechterhaltung einer überlegenen Schaltleistung zugeschnitten wurde. Diese Geräte eignen sich hervorragend für Anwendungen mit niedriger Spannung und Batteriebetrieb, bei denen geringe Netzverluste und schnelles Schalten erforderlich sind.

Max. RDS(ein) = 40 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 4,8 A
Max. RDS(ein) = 51 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 4,3 a
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Gatterladung
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige rDS(on)
Hohe Leistung und Strombelastbarkeit.
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.