Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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onsemi FJB102TM SMD, NPN Digitaler Transistor Dual 100 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin

RS Best.-Nr.:: 186-7395
Herst. Teile-Nr.:: FJB102TM
Marke:: onsemi

onsemi FJB102TM SMD, NPN Digitaler Transistor Dual 100 V, D2PAK (TO-263) 2 + Tab-Pin

Voraussichtlich ab 12.11.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)

0,472 €

(ohne MwSt.)

0,562 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 +	0,472 €	377,60 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 186-7395
Herst. Teile-Nr.:: FJB102TM
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet FJB102TM

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

FJB102: 100-V-Hochleistungstransistor Darlington

Hohe DC-Stromverstärkung: HFE=1000 bei VCE= 4 V, IC= 3 A (min.)
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hohe Haltespannung des Kollektor-Emitters
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen am unteren Emitter
Industrielle Verwendung
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Kollektor-Emitter-Spannung	100 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	80 W
Gleichstromverstärkung min.	200
Transistor-Konfiguration	Dual
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Pinanzahl	2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	10.67 x 9.65 x 4.58mm