- RS Best.-Nr.:
- 186-8997
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC3601N
- Marke:
- onsemi
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- FDC3601N
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diese N-Kanal 100V spezifizierten MOSFETs werden mit einem Advanced PowerTrench Prozess produziert, der speziell auf die Minimierung des Einschaltresistenz und die Aufrechterhaltung einer niedrigen Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung zugeschnitten wurde. Diese Geräte wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr geringer Stellfläche für Anwendungen zu bieten, bei denen die größeren, teureren SO-8- und TSSOP-8-Pakete unpraktisch sind.
1,0 A, 100 V
RDS(on) = 500 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V
Niedrige Gatterladung (typisch 3,7 nC)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
SuperSOT™-6-Gehäuse: Geringe Standfläche von 72 % (kleiner als Standard SO-8), niedrige Bauform (1 mm dick)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
RDS(on) = 500 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V
Niedrige Gatterladung (typisch 3,7 nC)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
SuperSOT™-6-Gehäuse: Geringe Standfläche von 72 % (kleiner als Standard SO-8), niedrige Bauform (1 mm dick)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | TSOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Verlustleistung max. | 960 mW |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
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