- RS Best.-Nr.:
- 235-5229
- Herst. Teile-Nr.:
- HFA3096BZ
- Marke:
- Renesas Electronics
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Produktdetails
Das Renesas Electronics HFA3096 ist ein Ultrahochfrequenz-Transistor-Array, das aus dem komplementären bipolaren UHF-1-Prozess von Renesas hergestellt wird. Die HFA3096 ist eine NPN-PNP-Kombination. Für maximale Anwendungsflexibilität wird jeder der Klemmen für die einzelnen Transistoren zugänglich. Die monolithische Bauweise dieser Transistorarrays sorgt für eine enge elektrische und thermische Anpassung der fünf Transistoren
NPN-Transistor (fT) 8 GHz
NPN-Stromverstärkung (hFE) ist 130
Die NPN-Frühspannung (VA) beträgt 50 V
PNP-Transistor (fT) ist 5,5 GHz
Die PNP-Stromverstärkung (hFE) beträgt 60
Die PNP-Frühspannung (VA) beträgt 20 V
Die Rauschzahl (50 Ω) bei 1,0 GHz beträgt 3,5 dB
Kollektor-zu-Kollektor-Leckstrom <: 1 pA
Vollständige Isolierung zwischen Transistoren
NPN-Stromverstärkung (hFE) ist 130
Die NPN-Frühspannung (VA) beträgt 50 V
PNP-Transistor (fT) ist 5,5 GHz
Die PNP-Stromverstärkung (hFE) beträgt 60
Die PNP-Frühspannung (VA) beträgt 20 V
Die Rauschzahl (50 Ω) bei 1,0 GHz beträgt 3,5 dB
Kollektor-zu-Kollektor-Leckstrom <: 1 pA
Vollständige Isolierung zwischen Transistoren
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN/PNP |
DC Kollektorstrom max. | 65 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 8 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 16 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 5 |
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