Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin

RS Best.-Nr.:: 923-1335
Herst. Teile-Nr.:: HFA3127BZ
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin

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RS Best.-Nr.:: 923-1335
Herst. Teile-Nr.:: HFA3127BZ
Marke:: Renesas Electronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
DC Kollektorstrom max.	65 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	8 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	150 mW
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max.	12 V
Basis-Emitter Spannung max.	5,5 V
Arbeitsfrequenz max.	8000 MHz
Pinanzahl	16
Anzahl der Elemente pro Chip	5
Abmessungen	1.5 x 10 x 4mm
Betriebstemperatur max.	+125 °C

Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin

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Transistorarrays, Intersil

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