- RS Best.-Nr.:
- 261-5960
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1317-E
- Marke:
- Renesas Electronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1317-E
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Der Renesas 2SK1317-E N-Kanal ist ein Hochgeschwindigkeits-Leistungsschalt-MOSFET. Der Silizium-N-Kanal-MOSFET hat einen niedrigen Antriebsstrom und eine hohe Durchschlagsspannung, d. h. (Vdss = 1500 V).Er ist geeignet für Schaltregler, DC/DC-Wandler und Motortreiber.
Betriebstemperatur (max.) = 150 °C
Maximale Verlustleistung = 100 W
Maximale Gate-Schwellenspannung = 4 V
Maximale Verlustleistung = 100 W
Maximale Gate-Schwellenspannung = 4 V
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 7 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1500 V |
Gehäusegröße | SC-65 |
Serie | 2SK1317 |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 12 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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