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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Renesas Electronics
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	7 A
	Drain-Source-Spannung max.	1500 V
	Gehäusegröße	SC-65
	Serie	2SK1317
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	12 Ω
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	4V
	Transistor-Werkstoff	Si
	Anzahl der Elemente pro Chip	1

	Alle auswählen
	Marke Renesas Electronics
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 7 A
	Drain-Source-Spannung max. 1500 V
	Gehäusegröße SC-65
	Serie 2SK1317
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 12 Ω
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 4V
	Transistor-Werkstoff Si
	Anzahl der Elemente pro Chip 1

Datasheet-2SK1317-E

Ursprungsland:: MY

Der Renesas 2SK1317-E N-Kanal ist ein Hochgeschwindigkeits-Leistungsschalt-MOSFET. Der Silizium-N-Kanal-MOSFET hat einen niedrigen Antriebsstrom und eine hohe Durchschlagsspannung, d. h. (Vdss = 1500 V).Er ist geeignet für Schaltregler, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Betriebstemperatur (max.) = 150 °C
Maximale Verlustleistung = 100 W
Maximale Gate-Schwellenspannung = 4 V

Renesas Electronics 2SK1317 N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65

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