Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 10 A 125 W, 3-Pin SC-65

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RS Best.-Nr.:
772-5321P
Herst. Teile-Nr.:
2SK1835-E
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

1500 V

Gehäusegröße

SC-65

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.8mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

15.6mm

Höhe

19.9mm

N-Kanal-MOSFETs mit hoher Spannung, 150 V und mehr, Renesas Electronics



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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