Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 120 A 125 W, 3-Pin SC-65
- RS Best.-Nr.:
- 772-5311P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1671-E
- Marke:
- Renesas Electronics
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|---|---|
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- 772-5311P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1671-E
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V | |
| Gehäusegröße | SC-65 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 95 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Länge | 15.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.8mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 19.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 250 V | ||
Gehäusegröße SC-65 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 95 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Länge 15.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.8mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 19.9mm | ||
N-Kanal-MOSFETs mit hoher Spannung, 150 V und mehr, Renesas Electronics
MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)