Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 240 A 125 W, 3-Pin TO-3P

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RS Best.-Nr.:
772-5242P
Herst. Teile-Nr.:
2SJ555-E
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

240 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-3P

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

36 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.8mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

15.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

19.9mm

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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