Teile-Nr.

Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 72 A 30 W, 3-Pin TO-220FM

RS Best.-Nr.:: 772-5239P
Herst. Teile-Nr.:: 2SJ534-E
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 72 A 30 W, 3-Pin TO-220FM

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16 - 76	1,678 €
80 - 196	1,64 €
200 - 396	1,608 €
400 +	1,578 €

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RS Best.-Nr.:: 772-5239P
Herst. Teile-Nr.:: 2SJ534-E
Marke:: Renesas Electronics

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Renesas Electronics
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	72 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	TO-220FM
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	110 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2V
	Verlustleistung max.	30 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Länge	10mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Breite	4.45mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Transistor-Werkstoff	Si
	Höhe	17mm

	Alle auswählen
	Marke Renesas Electronics
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 72 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße TO-220FM
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 110 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2V
	Verlustleistung max. 30 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Länge 10mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Breite 4.45mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Transistor-Werkstoff Si
	Höhe 17mm

Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 72 A 30 W, 3-Pin TO-220FM

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