Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 72 A 30 W, 3-Pin TO-220FM

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
772-5239P
Herst. Teile-Nr.:
2SJ534-E
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

72 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220FM

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

110 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10mm

Breite

4.45mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

17mm

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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