Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 10 A 35 W, 3-Pin TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 772-5327P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1808-E
- Marke:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 8 - 38 | 2,345 € |
| 40 - 98 | 2,30 € |
| 100 - 198 | 2,245 € |
| 200 + | 2,20 € |
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- 772-5327P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1808-E
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FM | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 35 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.45mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 17mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 900 V | ||
Gehäusegröße TO-220FM | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Verlustleistung max. 35 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.45mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 17mm | ||
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