Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 40 A 30 W, 3-Pin SC-67

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RS Best.-Nr.:
772-5396P
Herst. Teile-Nr.:
2SK3160-E
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

SC-67

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Verlustleistung max.

30 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.45mm

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

17mm

N-Kanal-MOSFETs mit hoher Spannung, 150 V und mehr, Renesas Electronics



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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