- RS Best.-Nr.:
- 146-2106
- Herst. Teile-Nr.:
- MB8S
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
On Semiconductor Brückengleichrichter MB1S-MB8S
Zulassungen
UL, E258596
Der ON Semiconductor MB8S ist Teil der Serie MB mit 0,5 A Brückengleichrichtern. Es bietet sehr hohe Stoßspannungsfähigkeiten aus einem kompakten SOIC-4-Gehäuse. Mit einer Stoßspannungsüberlastung von 35 A (Peak) eignet sich die MB8S ideal für Leiterplattenanwendungen, bei denen hohe Stoßströme absorbiert werden müssen. Es unterstützt auch eine Nennlast von 5,0 A²S für die Absicherung.
Die MB8S eignet sich ideal für Anwendungen, die eine zusätzliche Stoßfestigkeit benötigen. Er ist für allgemeine Anwendungen, wie z. B. Netzteile, ausgelegt.
0,5 A Vorwärtsstrom
Hohe Stoßstromaufnahme
Überspannungsableiter: 35 A (Peak)
Unterbrechen von Spannungen bis zu 1000 V.
Undichtheit
Die MB8S eignet sich ideal für Anwendungen, die eine zusätzliche Stoßfestigkeit benötigen. Er ist für allgemeine Anwendungen, wie z. B. Netzteile, ausgelegt.
0,5 A Vorwärtsstrom
Hohe Stoßstromaufnahme
Überspannungsableiter: 35 A (Peak)
Unterbrechen von Spannungen bis zu 1000 V.
Undichtheit
Lieferbare Versionen:
( 761-3650 ) MB1S 25er Packung
( 166-2784 ) MB1S Rolle von 3000
( 761-3669 ) MB2S 25er Packung
( 166-2783 ) MB2S Rolle von 3000
( 803-1951 ) MB4S Packung mit 50 Stück
( 166-3052 ) MB4S Rolle von 3000
( 761-3379 ) MB6S 25er Packung
( 166-2012 ) MB6S Rolle von 3000
( 805-0429 ) MB8S Packung mit 50 Stück
( 146-2106 ) MB8S Rolle von 3000
( 761-3650 ) MB1S 25er Packung
( 166-2784 ) MB1S Rolle von 3000
( 761-3669 ) MB2S 25er Packung
( 166-2783 ) MB2S Rolle von 3000
( 803-1951 ) MB4S Packung mit 50 Stück
( 166-3052 ) MB4S Rolle von 3000
( 761-3379 ) MB6S 25er Packung
( 166-2012 ) MB6S Rolle von 3000
( 805-0429 ) MB8S Packung mit 50 Stück
( 146-2106 ) MB8S Rolle von 3000
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Brücken-Typ | 1-phasig |
Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert | 500mA |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 800V |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 4 |
Diodentechnologie | Siliziumverbindung |
Konfiguration | Single |
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 35A |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Spitzen-Durchlassspannung | 1V |
Stoßspitzensperrstrom | 500µA |
Abmessungen | 4.95 x 4.2 x 2.7mm |
Länge | 4.95mm |
Höhe | 2.7mm |
Breite | 4.2mm |
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