- RS Best.-Nr.:
- 146-2106
- Herst. Teile-Nr.:
- MB8S
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
On Semiconductor Brückengleichrichter MB1S-MB8S
Zulassungen
UL, E258596
Der ON Semiconductor MB8S ist Teil der Serie MB mit 0,5 A Brückengleichrichtern. Es bietet sehr hohe Stoßspannungsfähigkeiten aus einem kompakten SOIC-4-Gehäuse. Mit einer Stoßspannungsüberlastung von 35 A (Peak) eignet sich die MB8S ideal für Leiterplattenanwendungen, bei denen hohe Stoßströme absorbiert werden müssen. Es unterstützt auch eine Nennlast von 5,0 A²S für die Absicherung.
Die MB8S eignet sich ideal für Anwendungen, die eine zusätzliche Stoßfestigkeit benötigen. Er ist für allgemeine Anwendungen, wie z. B. Netzteile, ausgelegt.
• 0,5 A Vorwärtsstrom
• Hohe Stoßstromaufnahme
• Überspannungsableiter: 35 A (Peak)
• Unterbrechen von Spannungen bis zu 1000 V.
• Undichtheit
Die MB8S eignet sich ideal für Anwendungen, die eine zusätzliche Stoßfestigkeit benötigen. Er ist für allgemeine Anwendungen, wie z. B. Netzteile, ausgelegt.
• 0,5 A Vorwärtsstrom
• Hohe Stoßstromaufnahme
• Überspannungsableiter: 35 A (Peak)
• Unterbrechen von Spannungen bis zu 1000 V.
• Undichtheit
Lieferbare Versionen:
( 761-3650 ) MB1S 25er Packung
( 166-2784 ) MB1S Rolle von 3000
( 761-3669 ) MB2S 25er Packung
( 166-2783 ) MB2S Rolle von 3000
( 803-1951 ) MB4S Packung mit 50 Stück
( 166-3052 ) MB4S Rolle von 3000
( 761-3379 ) MB6S 25er Packung
( 166-2012 ) MB6S Rolle von 3000
( 805-0429 ) MB8S Packung mit 50 Stück
( 146-2106 ) MB8S Rolle von 3000
( 761-3650 ) MB1S 25er Packung
( 166-2784 ) MB1S Rolle von 3000
( 761-3669 ) MB2S 25er Packung
( 166-2783 ) MB2S Rolle von 3000
( 803-1951 ) MB4S Packung mit 50 Stück
( 166-3052 ) MB4S Rolle von 3000
( 761-3379 ) MB6S 25er Packung
( 166-2012 ) MB6S Rolle von 3000
( 805-0429 ) MB8S Packung mit 50 Stück
( 146-2106 ) MB8S Rolle von 3000
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert | 500mA |
Brücken-Typ | 1-phasig |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 800V |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 4 |
Diodentechnologie | Siliziumverbindung |
Konfiguration | Single |
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 35A |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Spitzen-Durchlassspannung | 1V |
Stoßspitzensperrstrom | 500µA |
Länge | 4.95mm |
Abmessungen | 4.95 x 4.2 x 2.7mm |
Höhe | 2.7mm |
Breite | 4.2mm |
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