onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 4 A HFE:200, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 125-0070
Herst. Teile-Nr.:: MJD112T4G
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 4 A HFE:200, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)**

675,00 €

(ohne MwSt.)

800,00 €

(inkl. MwSt.)

2500 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Rolle**
2500 +	0,27 €	675,00 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 125-0070
Herst. Teile-Nr.:: MJD112T4G
Marke:: onsemi

MJD112 (NPN), MJD117 (PNP), Complementary Darlington Power Transistors
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	4 A
Kollektor-Emitter-Spannung	100 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	200
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	4 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	3 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	0.02mA
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Betriebstemperatur min.	–65 °C
Höhe	2.38mm
Breite	6.22mm

onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 4 A HFE:200, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Normen

Verwandte Produkte