onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 790-5319
Herst. Teile-Nr.:: MJD112G
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

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105 - 495	0,387 €	5,805 €
510 - 990	0,301 €	4,515 €
1005 - 2490	0,246 €	3,69 €
2505 +	0,229 €	3,435 €
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Herst. Teile-Nr.:: MJD112G
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NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	2 A
Kollektor-Emitter-Spannung	100 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	1000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	4 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	3 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	20µA
Verlustleistung max.	20 W
Abmessungen	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Breite	6.22mm
Höhe	2.38mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	-65 °C
Länge	6.73mm

RS Best.-Nr.:: 790-5319
Herst. Teile-Nr.:: MJD112G
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