onsemi PNP Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 463-111
Herst. Teile-Nr.:: MJD127T4G
Marke:: onsemi

onsemi PNP Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

320 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

0,627 €

(ohne MwSt.)

0,746 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 80	0,627 €	12,54 €
100 - 480	0,454 €	9,08 €
500 - 980	0,38 €	7,60 €
1000 - 2480	0,324 €	6,48 €
2500 +	0,289 €	5,78 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 463-111
Herst. Teile-Nr.:: MJD127T4G
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Nicht zutreffend

Produktdetails

PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
Dauer-Kollektorstrom max.	8 A
Kollektor-Emitter-Spannung	100 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	100
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	4,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	4 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	0.01mA
Betriebstemperatur min.	-65 °C
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Höhe	2.38mm
Breite	6.22mm