onsemi NPN Darlington-Transistor 350 V 4 A HFE:2000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 163-0785
Herst. Teile-Nr.:: NJD35N04T4G
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 350 V 4 A HFE:2000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach

Voraussichtlich ab 19.07.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)

0,515 €

(ohne MwSt.)

0,613 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2500 +	0,515 €	1.287,50 €

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RS Best.-Nr.:: 163-0785
Herst. Teile-Nr.:: NJD35N04T4G
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	4 A
Kollektor-Emitter-Spannung	350 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	2 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	700 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	250mA
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	7.49mm
Verlustleistung max.	45 W
Betriebstemperatur min.	–65 °C
Länge	6.73mm
Abmessungen	6.73 x 7.49 x 2.38mm
Höhe	2.38mm