- RS Best.-Nr.:
- 163-0033
- Herst. Teile-Nr.:
- MJ11012G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V |
Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
Gehäusegröße | TO-204AA |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 2 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Gleichstromverstärkung min. | 200 |
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 5 V |
Kollektor-Basis-Spannung max. | 60 V |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
Höhe | 8.51mm |
Verlustleistung max. | 200 W |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Abmessungen | 21.08 (Dia.) x 8.51mm |
Betriebstemperatur max. | +200 °C |
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