onsemi PNP Darlington-Transistor 100 V 5 A HFE:1000, TO-220AB 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 545-2361
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP127G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor TIP127G ist ein 5 A, 100 V PNP Darlington-Bipolartransistor. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.
Der TIP127G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Kompaktes Gehäuse
• PNP-Polarität
Der TIP127G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Kompaktes Gehäuse
• PNP-Polarität
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 5 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 0.2mA |
| Länge | 10.28mm |
| Abmessungen | 10.28 x 4.82 x 9.28mm |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 9.28mm |
| Breite | 4.82mm |
- RS Best.-Nr.:
- 545-2361
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP127G
- Marke:
- onsemi
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