Infineon NPN Darlington-Transistor 60 V 500 mA HFE:2000, SOT-23 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 911-4754
Herst. Teile-Nr.:: BCV47E6327HTSA1
Marke:: Infineon

Infineon NPN Darlington-Transistor 60 V 500 mA HFE:2000, SOT-23 3-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:: 911-4754
Herst. Teile-Nr.:: BCV47E6327HTSA1
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	60 V
Basis-Emitter Spannung max.	10 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Konfiguration	Single
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	0.01mA
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	2.9 x 1.3 x 0.9mm
Breite	1.3mm
Höhe	0.9mm
Länge	2.9mm
Verlustleistung max.	360 mW

Infineon NPN Darlington-Transistor 60 V 500 mA HFE:2000, SOT-23 3-Pin Einfach

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Darlington-Transistoren, Infineon

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